ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > 70T633S10BFI
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Descrizione: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
10ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
208-CABGA (15x15)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Dimensione della memoria:
9Mbit
Voltaggio - Fornitura:
2.4V ~ 2.6V
Tempo di accesso:
10 ns
Confezione / Cassa:
208-LFBGA
Organizzazione della memoria:
512K x 18
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - doppia porta, asincrona
Numero del prodotto di base:
70T633
Formato di memoria:
SRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
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10ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
208-CABGA (15x15)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
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Dimensione della memoria:
9Mbit
Voltaggio - Fornitura:
2.4V ~ 2.6V
Tempo di accesso:
10 ns
Confezione / Cassa:
208-LFBGA
Organizzazione della memoria:
512K x 18
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - doppia porta, asincrona
Numero del prodotto di base:
70T633
Formato di memoria:
SRAM
70T633S10BFI
SRAM - doppia porta, memoria asincrona IC 9Mbit parallelo 10 ns 208-CABGA (15x15)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip di memoria IC,

Chip IC di memoria 64-FBGA

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