ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > W948V6KBHX5E TR
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Descrizione: IC DRAM 256MBIT LVCMOS 60VFBGA

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
256Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
LVCMOS
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
60-VFBGA (8x9)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Elettronica di Winbond
Frequenza dell'orologio:
200 MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.7V ~ 1.9V
Tempo di accesso:
5 ns
Confezione / Cassa:
60-TFBGA
Organizzazione della memoria:
16M x 16
Temperatura di funzionamento:
-25°C ~ 85°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR mobile
Numero del prodotto di base:
W948V6
Formato di memoria:
DRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
256Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
LVCMOS
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
60-VFBGA (8x9)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
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Frequenza dell'orologio:
200 MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.7V ~ 1.9V
Tempo di accesso:
5 ns
Confezione / Cassa:
60-TFBGA
Organizzazione della memoria:
16M x 16
Temperatura di funzionamento:
-25°C ~ 85°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR mobile
Numero del prodotto di base:
W948V6
Formato di memoria:
DRAM
W948V6KBHX5E TR
SDRAM - CI di memoria LPDDR mobile 256Mbit LVCMOS 200 MHz 5 ns 60-VFBGA (8x9)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip di memoria IC,

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