ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > S29GL512T12DHN010
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Descrizione: 512 MB (64M)

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Descrizione di prodotto
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Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
GL-T
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
60 ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
64-FBGA (9x9)
Tipo di memoria:
Non volatili
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
Dimensione della memoria:
512Mbit
Voltaggio - Fornitura:
2.7V ~ 3.6V
Tempo di accesso:
120 ns
Confezione / Cassa:
64-LBGA
Organizzazione della memoria:
64M x 8
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 125°C (TA)
Tecnologia:
Flash - né
Numero del prodotto di base:
S29GL512
Formato di memoria:
Flash
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
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Pacco:
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Serie:
GL-T
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
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Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tipo di memoria:
Non volatili
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Voltaggio - Fornitura:
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64M x 8
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 125°C (TA)
Tecnologia:
Flash - né
Numero del prodotto di base:
S29GL512
Formato di memoria:
Flash
S29GL512T12DHN010
FLASH - NOR Memoria IC 512Mbit Parallelo 120 ns 64-FBGA (9x9)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip di memoria IC,

Chip IC di memoria 64-FBGA

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