ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > 70T3519S133BFI8
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Descrizione: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
9Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
208-CABGA (15x15)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Frequenza dell'orologio:
133 MHz
Voltaggio - Fornitura:
2.4V ~ 2.6V
Tempo di accesso:
4,2 NS
Confezione / Cassa:
208-LFBGA
Organizzazione della memoria:
256K x 36
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - doppia porta, sincrona
Numero del prodotto di base:
70T3519
Formato di memoria:
SRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
9Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
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-
Confezione del dispositivo del fornitore:
208-CABGA (15x15)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
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Frequenza dell'orologio:
133 MHz
Voltaggio - Fornitura:
2.4V ~ 2.6V
Tempo di accesso:
4,2 NS
Confezione / Cassa:
208-LFBGA
Organizzazione della memoria:
256K x 36
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - doppia porta, sincrona
Numero del prodotto di base:
70T3519
Formato di memoria:
SRAM
70T3519S133BFI8
SRAM - doppia porta, memoria sincrona IC 9Mbit parallelo 133 MHz 4.2 ns 208-CABGA (15x15)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip di memoria IC,

Chip IC di memoria 64-FBGA

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