Dettagli del prodotto
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Descrizione: IC DRAM 4GBIT 1.866GHz 200WFBGA
Categoria: |
Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria |
Dimensione della memoria: |
4Gbit |
Status del prodotto: |
Attivo |
Tipo di montaggio: |
Montaggio superficiale |
Pacco: |
Nastro e bobina (TR) |
Serie: |
Automotive, AEC-Q100 |
DigiKey programmabile: |
Non verificato |
Interfaccia della memoria: |
- |
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina: |
- |
Confezione del dispositivo del fornitore: |
200-WFBGA (10x14.5) |
Tipo di memoria: |
Volatile |
Mfr: |
Micron Technology Inc. |
Frequenza dell'orologio: |
1,866 gigahertz |
Voltaggio - Fornitura: |
1.1V |
Confezione / Cassa: |
200-WFBGA |
Organizzazione della memoria: |
128M x 32 |
Temperatura di funzionamento: |
-40°C ~ 95°C (TC) |
Tecnologia: |
SDRAM - LPDDR4 mobile |
Numero del prodotto di base: |
MT5 |
Formato di memoria: |
DRAM |
Categoria: |
Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria |
Dimensione della memoria: |
4Gbit |
Status del prodotto: |
Attivo |
Tipo di montaggio: |
Montaggio superficiale |
Pacco: |
Nastro e bobina (TR) |
Serie: |
Automotive, AEC-Q100 |
DigiKey programmabile: |
Non verificato |
Interfaccia della memoria: |
- |
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina: |
- |
Confezione del dispositivo del fornitore: |
200-WFBGA (10x14.5) |
Tipo di memoria: |
Volatile |
Mfr: |
Micron Technology Inc. |
Frequenza dell'orologio: |
1,866 gigahertz |
Voltaggio - Fornitura: |
1.1V |
Confezione / Cassa: |
200-WFBGA |
Organizzazione della memoria: |
128M x 32 |
Temperatura di funzionamento: |
-40°C ~ 95°C (TC) |
Tecnologia: |
SDRAM - LPDDR4 mobile |
Numero del prodotto di base: |
MT5 |
Formato di memoria: |
DRAM |