ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Descrizione: IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
4.5Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
119-PBGA (14 x 22)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Frequenza dell'orologio:
150 megahertz
Voltaggio - Fornitura:
3.135V ~ 3.465V
Tempo di accesso:
3,8 NS
Confezione / Cassa:
119-BGA
Organizzazione della memoria:
128K x 36
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Sincrono, SDR (ZBT)
Numero del prodotto di base:
71V2546
Formato di memoria:
SRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
4.5Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
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Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
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Frequenza dell'orologio:
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Voltaggio - Fornitura:
3.135V ~ 3.465V
Tempo di accesso:
3,8 NS
Confezione / Cassa:
119-BGA
Organizzazione della memoria:
128K x 36
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Sincrono, SDR (ZBT)
Numero del prodotto di base:
71V2546
Formato di memoria:
SRAM
71V2546S150BG8
SRAM - Memoria sincrona, SDR (ZBT) IC 4.5Mbit parallelo 150 MHz 3,8 ns 119-PBGA (14x22)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip di memoria IC,

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