ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > AS4C64M32MD1-5BIN
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Descrizione: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA

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Descrizione di prodotto
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Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
2Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
90 FBGA (8x13)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Alliance Memory, Inc.
Frequenza dell'orologio:
200 MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.7V ~ 1.9V
Tempo di accesso:
5 ns
Confezione / Cassa:
90-VFBGA
Organizzazione della memoria:
64M x 32
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR mobile
Numero del prodotto di base:
AS4C64
Formato di memoria:
DRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
2Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
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Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tipo di memoria:
Volatile
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64M x 32
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR mobile
Numero del prodotto di base:
AS4C64
Formato di memoria:
DRAM
AS4C64M32MD1-5BIN
SDRAM - CI di memoria LPDDR mobile 2Gbit Parallela 200 MHz 5 ns 90-FBGA (8x13)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip di memoria IC,

Chip IC di memoria 64-FBGA

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