ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > CY7C1312KV18-250BZI
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CY7C1312KV18-250BZI
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Descrizione: IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
18Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
165-FBGA (13x15)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Infineon Technologies
Frequenza dell'orologio:
250 MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.7V ~ 1.9V
Confezione / Cassa:
165-LBGA
Organizzazione della memoria:
1M x 18
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - sincrono, QDR II
Numero del prodotto di base:
CY7C1312
Formato di memoria:
SRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
18Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
165-FBGA (13x15)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
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Frequenza dell'orologio:
250 MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.7V ~ 1.9V
Confezione / Cassa:
165-LBGA
Organizzazione della memoria:
1M x 18
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - sincrono, QDR II
Numero del prodotto di base:
CY7C1312
Formato di memoria:
SRAM
CY7C1312KV18-250BZI
SRAM - IC di memoria QDR II sincrona 18Mbit parallelo a 250 MHz 165-FBGA (13x15)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip di memoria IC,

Chip IC di memoria 64-FBGA

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