ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Descrizione: IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
256-CABGA (17x17)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Dimensione della memoria:
1.125Mbit
Voltaggio - Fornitura:
3,15 V ~ 3,45 V
Tempo di accesso:
5 ns
Confezione / Cassa:
256-LBGA
Organizzazione della memoria:
32K x 36
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - doppia porta, sincrona
Numero del prodotto di base:
70V3579
Formato di memoria:
SRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
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-
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
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Dimensione della memoria:
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Voltaggio - Fornitura:
3,15 V ~ 3,45 V
Tempo di accesso:
5 ns
Confezione / Cassa:
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Organizzazione della memoria:
32K x 36
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - doppia porta, sincrona
Numero del prodotto di base:
70V3579
Formato di memoria:
SRAM
70V3579S5BCI8
SRAM - doppia porta, memoria sincrona IC 1.125Mbit parallelo 5 ns 256-CABGA (17x17)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip di memoria IC,

Chip IC di memoria 64-FBGA

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