ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > W63AH6NBVADI
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Descrizione: IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
1Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
HSUL_12
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
178-VFBGA (11x11.5)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Elettronica di Winbond
Frequenza dell'orologio:
10,066 GHz
Voltaggio - Fornitura:
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Tempo di accesso:
5,5 NS
Confezione / Cassa:
178-VFBGA
Organizzazione della memoria:
64M x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR3 mobile
Numero del prodotto di base:
W63AH6
Formato di memoria:
DRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
1Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
HSUL_12
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Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
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Frequenza dell'orologio:
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Tempo di accesso:
5,5 NS
Confezione / Cassa:
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Organizzazione della memoria:
64M x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR3 mobile
Numero del prodotto di base:
W63AH6
Formato di memoria:
DRAM
W63AH6NBVADI
SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 1Gbit HSUL_12 1,066 GHz 5,5 ns 178-VFBGA (11x11.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip di memoria IC,

Chip IC di memoria 64-FBGA

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