ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > IS61LF25636B-7.5TQLI-TR
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IS61LF25636B-7.5TQLI-TR
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Descrizione: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100LQFP

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
9Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
100 LQFP (14x20)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
ISSI, soluzione integrata inc del silicio
Frequenza dell'orologio:
117 megahertz
Voltaggio - Fornitura:
3.135V ~ 3.465V
Tempo di accesso:
7,5 NS
Confezione / Cassa:
100-LQFP
Organizzazione della memoria:
256K x 36
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Sincrono, DSR
Numero del prodotto di base:
IS61LF25636
Formato di memoria:
SRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
9Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
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-
Confezione del dispositivo del fornitore:
100 LQFP (14x20)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
ISSI, soluzione integrata inc del silicio
Frequenza dell'orologio:
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Voltaggio - Fornitura:
3.135V ~ 3.465V
Tempo di accesso:
7,5 NS
Confezione / Cassa:
100-LQFP
Organizzazione della memoria:
256K x 36
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Sincrono, DSR
Numero del prodotto di base:
IS61LF25636
Formato di memoria:
SRAM
IS61LF25636B-7.5TQLI-TR
SRAM - IC di memoria SDR sincrona 9Mbit parallelo 117 MHz 7,5 ns 100-LQFP (14x20)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip di memoria IC,

Chip IC di memoria 64-FBGA

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