ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > IS42S86400D-7TL
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Descrizione: CI DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
512Mbit
Status del prodotto:
Non per nuovi disegni
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
54-TSOP II
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
ISSI, soluzione integrata inc del silicio
Frequenza dell'orologio:
143 megahertz
Voltaggio - Fornitura:
3V ~ 3,6V
Tempo di accesso:
5,4 NS
Confezione / Cassa:
54-TSOP (0,400", larghezza di 10.16mm)
Organizzazione della memoria:
64M x 8
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM
Numero del prodotto di base:
IS42S86400
Formato di memoria:
DRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
512Mbit
Status del prodotto:
Non per nuovi disegni
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
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-
Confezione del dispositivo del fornitore:
54-TSOP II
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
ISSI, soluzione integrata inc del silicio
Frequenza dell'orologio:
143 megahertz
Voltaggio - Fornitura:
3V ~ 3,6V
Tempo di accesso:
5,4 NS
Confezione / Cassa:
54-TSOP (0,400", larghezza di 10.16mm)
Organizzazione della memoria:
64M x 8
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM
Numero del prodotto di base:
IS42S86400
Formato di memoria:
DRAM
IS42S86400D-7TL
Memoria SDRAM IC 512Mbit Parallelo 143 MHz 5,4 ns 54-TSOP II

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

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