ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Descrizione: CI DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
256Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
54-TSOP II
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Alliance Memory, Inc.
Frequenza dell'orologio:
166 MHz
Voltaggio - Fornitura:
3V ~ 3,6V
Tempo di accesso:
5,5 NS
Confezione / Cassa:
54-TSOP (0,400", larghezza di 10.16mm)
Organizzazione della memoria:
32M x 8
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM
Numero del prodotto di base:
AS4C32
Formato di memoria:
DRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
256Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
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-
Confezione del dispositivo del fornitore:
54-TSOP II
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
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Frequenza dell'orologio:
166 MHz
Voltaggio - Fornitura:
3V ~ 3,6V
Tempo di accesso:
5,5 NS
Confezione / Cassa:
54-TSOP (0,400", larghezza di 10.16mm)
Organizzazione della memoria:
32M x 8
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM
Numero del prodotto di base:
AS4C32
Formato di memoria:
DRAM
AS4C32M8SA-6TIN
Memoria SDRAM IC 256Mbit parallelo 166 MHz 5,5 ns 54-TSOP II

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

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