ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > W631GU6NB09I
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Dettagli del prodotto

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Descrizione: IC DRAM 1GBIT PAR 96VFBGA

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
1Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
96-VFBGA (7,5x13)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Elettronica di Winbond
Frequenza dell'orologio:
10,066 GHz
Voltaggio - Fornitura:
1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V
Tempo di accesso:
20 ns
Confezione / Cassa:
96-VFBGA
Organizzazione della memoria:
64M x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 95°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - DDR3L
Numero del prodotto di base:
W631GU6
Formato di memoria:
DRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
1Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
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15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
96-VFBGA (7,5x13)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
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Frequenza dell'orologio:
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Voltaggio - Fornitura:
1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V
Tempo di accesso:
20 ns
Confezione / Cassa:
96-VFBGA
Organizzazione della memoria:
64M x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 95°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - DDR3L
Numero del prodotto di base:
W631GU6
Formato di memoria:
DRAM
W631GU6NB09I
SDRAM - CI di memoria DDR3L 1Gbit Parallelo 1.066 GHz 20 ns 96-VFBGA (7.5x13)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip di memoria IC,

Chip IC di memoria 64-FBGA

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