ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > MT2F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A TR
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Descrizione: IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
512Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
132-VBGA (12x18)
Tipo di memoria:
Non volatili
Mfr:
Micron Technology Inc.
Frequenza dell'orologio:
333MHz
Voltaggio - Fornitura:
2.5V ~ 3.6V
Confezione / Cassa:
132-VBGA
Organizzazione della memoria:
64G x 8
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
FLASH - NAND (TLC)
Numero del prodotto di base:
MT2202M2
Formato di memoria:
Flash
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
512Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
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Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
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Confezione del dispositivo del fornitore:
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Non volatili
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2.5V ~ 3.6V
Confezione / Cassa:
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64G x 8
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
FLASH - NAND (TLC)
Numero del prodotto di base:
MT2202M2
Formato di memoria:
Flash
MT2F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A TR
FLASH - NAND (TLC) Memoria IC 512Gbit parallelo 333 MHz 132-VBGA (12x18)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip di memoria IC,

Chip IC di memoria 64-FBGA

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