ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > R1RP0408DGE-2LR#B1
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Descrizione: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Tubo
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
12ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
36-SOJ
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Dimensione della memoria:
4Mbit
Voltaggio - Fornitura:
4.5V ~ 5.5V
Tempo di accesso:
12 n
Confezione / Cassa:
36-BSOJ (0,400", larghezza di 10.16mm)
Organizzazione della memoria:
512K x 8
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SRAM
Numero del prodotto di base:
R1RP0408
Formato di memoria:
SRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Tubo
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
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12ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
36-SOJ
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
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Dimensione della memoria:
4Mbit
Voltaggio - Fornitura:
4.5V ~ 5.5V
Tempo di accesso:
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Confezione / Cassa:
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Organizzazione della memoria:
512K x 8
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SRAM
Numero del prodotto di base:
R1RP0408
Formato di memoria:
SRAM
R1RP0408DGE-2LR#B1
Memoria SRAM IC 4Mbit parallelo 12 ns 36-SOJ

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

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