ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > W97BH2MBVA2I TR
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Descrizione: IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
2Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
HSUL_12
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
134-VFBGA (10x11.5)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Elettronica di Winbond
Frequenza dell'orologio:
400 MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Confezione / Cassa:
134-VFBGA
Organizzazione della memoria:
64M x 32
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR2-S4B mobile
Numero del prodotto di base:
W97BH2
Formato di memoria:
DRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
2Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
HSUL_12
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15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
134-VFBGA (10x11.5)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
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Frequenza dell'orologio:
400 MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Confezione / Cassa:
134-VFBGA
Organizzazione della memoria:
64M x 32
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR2-S4B mobile
Numero del prodotto di base:
W97BH2
Formato di memoria:
DRAM
W97BH2MBVA2I TR
SDRAM - CI di memoria mobile LPDDR2-S4B 2Gbit HSUL_12 400 MHz 134-VFBGA (10x11,5)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip di memoria IC,

Chip IC di memoria 64-FBGA

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