ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > 71V25761Y5S200PFG
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71V25761Y5S200PFG
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Descrizione: IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP

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Descrizione di prodotto
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Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
4.5Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
100-TQFP (14x20)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
IDT, tecnologia integrata inc del dispositivo
Frequenza dell'orologio:
200 MHz
Voltaggio - Fornitura:
3.135V ~ 3.465V
Tempo di accesso:
3.1 ns
Confezione / Cassa:
100-LQFP
Organizzazione della memoria:
128K x 36
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Sincrono, DSR
Numero del prodotto di base:
71V25761
Formato di memoria:
SRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
4.5Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
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Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
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Confezione del dispositivo del fornitore:
100-TQFP (14x20)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
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Frequenza dell'orologio:
200 MHz
Voltaggio - Fornitura:
3.135V ~ 3.465V
Tempo di accesso:
3.1 ns
Confezione / Cassa:
100-LQFP
Organizzazione della memoria:
128K x 36
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Sincrono, DSR
Numero del prodotto di base:
71V25761
Formato di memoria:
SRAM
71V25761Y5S200PFG
SRAM - IC di memoria SDR sincrona 4.5Mbit parallelo 200 MHz 3.1 ns 100-TQFP (14x20)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

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