ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > W66BM6NBUAFJ TR
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Descrizione: IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA

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Descrizione di prodotto
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Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
2Gbit
Status del prodotto:
Non per nuovi disegni
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
LVSTL_11
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
18ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
200-WFBGA (10x14.5)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Elettronica di Winbond
Frequenza dell'orologio:
1,6 gigahertz
Voltaggio - Fornitura:
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Tempo di accesso:
3,5 NS
Confezione / Cassa:
200-WFBGA
Organizzazione della memoria:
128M x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 105°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR4X mobile
Numero del prodotto di base:
W66BM6
Formato di memoria:
DRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
2Gbit
Status del prodotto:
Non per nuovi disegni
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
LVSTL_11
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Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
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Voltaggio - Fornitura:
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Tempo di accesso:
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Confezione / Cassa:
200-WFBGA
Organizzazione della memoria:
128M x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 105°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR4X mobile
Numero del prodotto di base:
W66BM6
Formato di memoria:
DRAM
W66BM6NBUAFJ TR
SDRAM - Mobile LPDDR4X Memory IC 2Gbit LVSTL_11 1,6 GHz 3,5 ns 200-WFBGA (10x14.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip di memoria IC,

Chip IC di memoria 64-FBGA

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