Dettagli del prodotto
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Descrizione: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Categoria: |
Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria |
Dimensione della memoria: |
4Gbit |
Status del prodotto: |
L'ultima volta che ho comprato |
Tipo di montaggio: |
Montaggio superficiale |
Pacco: |
Altri prodotti |
Serie: |
Automotive, AEC-Q100 |
DigiKey programmabile: |
Non verificato |
Interfaccia della memoria: |
Parallelamente |
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina: |
15ns |
Confezione del dispositivo del fornitore: |
78-FBGA (7.5x11) |
Tipo di memoria: |
Volatile |
Mfr: |
Micron Technology Inc. |
Frequenza dell'orologio: |
1,6 gigahertz |
Voltaggio - Fornitura: |
1.14V ~ 1.26V |
Tempo di accesso: |
19 NS |
Confezione / Cassa: |
78-TFBGA |
Organizzazione della memoria: |
512M x 8 |
Temperatura di funzionamento: |
-40°C ~ 95°C (TC) |
Tecnologia: |
SDRAM - DDR4 |
Numero del prodotto di base: |
MT4105M2 |
Formato di memoria: |
DRAM |
Categoria: |
Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria |
Dimensione della memoria: |
4Gbit |
Status del prodotto: |
L'ultima volta che ho comprato |
Tipo di montaggio: |
Montaggio superficiale |
Pacco: |
Altri prodotti |
Serie: |
Automotive, AEC-Q100 |
DigiKey programmabile: |
Non verificato |
Interfaccia della memoria: |
Parallelamente |
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina: |
15ns |
Confezione del dispositivo del fornitore: |
78-FBGA (7.5x11) |
Tipo di memoria: |
Volatile |
Mfr: |
Micron Technology Inc. |
Frequenza dell'orologio: |
1,6 gigahertz |
Voltaggio - Fornitura: |
1.14V ~ 1.26V |
Tempo di accesso: |
19 NS |
Confezione / Cassa: |
78-TFBGA |
Organizzazione della memoria: |
512M x 8 |
Temperatura di funzionamento: |
-40°C ~ 95°C (TC) |
Tecnologia: |
SDRAM - DDR4 |
Numero del prodotto di base: |
MT4105M2 |
Formato di memoria: |
DRAM |