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Categorie

Circuiti integrati ics

(51409)

Chip IC di memoria

(1100)

Gestione CI di potere

(1129)

Circuiti integrati driver

(2100)

IC digitali

(2100)

IC analogiche

(1480)

IC a segnale misto

(100)

Circuito integrato a radiofrequenza

(100)

Circuiti integrati specifici per applicazioni ASIC

(100)

IC audio e video

(119)

IC di interfaccia

(100)

Sensore CI

(100)

Componenti passive

(194)

STOCK proprio

(12767)

STOP

(235)

Contatti

Contatti: Ms. Yili

Telefono: 86--18906811134

Fax: 86--18906811134

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Descrizione: IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA

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Descrizione di prodotto

Evidenziare:

Categoria:	Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria	Dimensione della memoria:	576Mbit
Status del prodotto:	Attivo	Tipo di montaggio:	Montaggio superficiale
Pacco:	Scaffale	Serie:	-
DigiKey programmabile:	Non verificato	Interfaccia della memoria:	Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:	-	Confezione del dispositivo del fornitore:	144-FBGA (18.5x11)
Tipo di memoria:	Volatile	Mfr:	Micron Technology Inc.
Frequenza dell'orologio:	533 megahertz	Voltaggio - Fornitura:	1.7V ~ 1.9V
Tempo di accesso:	15 NS	Confezione / Cassa:	144-TFBGA
Organizzazione della memoria:	16M x 36	Temperatura di funzionamento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:	DRAM	Numero del prodotto di base:	MT4 di cui all'articolo 2
Formato di memoria:	DRAM

Categoria:	Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:	576Mbit
Status del prodotto:	Attivo
Tipo di montaggio:	Montaggio superficiale
Pacco:	Scaffale
Serie:	-
DigiKey programmabile:	Non verificato
Interfaccia della memoria:	Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:	-
Confezione del dispositivo del fornitore:	144-FBGA (18.5x11)
Tipo di memoria:	Volatile
Mfr:	Micron Technology Inc.
Frequenza dell'orologio:	533 megahertz
Voltaggio - Fornitura:	1.7V ~ 1.9V
Tempo di accesso:	15 NS
Confezione / Cassa:	144-TFBGA
Organizzazione della memoria:	16M x 36
Temperatura di funzionamento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:	DRAM
Numero del prodotto di base:	MT4 di cui all'articolo 2
Formato di memoria:	DRAM

MT4117M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M416M416M412M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M4

Memoria DRAM IC 576Mbit parallelo 533 MHz 15 ns 144-FBGA (18.5x11)

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Circuiti integrati ics

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Gestione CI di potere

Circuiti integrati driver

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IC analogiche

IC a segnale misto

Circuito integrato a radiofrequenza

Circuiti integrati specifici per applicazioni ASIC

IC audio e video

IC di interfaccia

Sensore CI

Componenti passive

STOCK proprio

STOP

MT4117M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M416M416M412M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M4

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

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MT45W4MW16BFB-856 WT Memoria IC Chip 54-VFBGA Surface Mount

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M29W640GH70NA6E Memory IC Chip 64Mb 2.7 V ~ 3.6 V 64Mb

JS28F160C3TD70A Flash Memory Ic Chip Micron Technology 70ns

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1 Memoria IC Chip 128Gb 16G x 8 Memoria

JS48F4400P0TB00A Memoria Ics 85ns Tempo di accesso 512Mb Dimensione della memoria

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Memoria IC Chip Frequenza di orologio 200MHz

IC di memoria AT45DB321D-MU-SL954 Flash Ic Eeprom 32Mb 8-VDFN

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