ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > CY14B104NA-ZSP25XI
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Descrizione: IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
25ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
54-TSOP II
Tipo di memoria:
Non volatili
Mfr:
Infineon Technologies
Dimensione della memoria:
4Mbit
Voltaggio - Fornitura:
2.7V ~ 3.6V
Tempo di accesso:
25 ns
Confezione / Cassa:
54-TSOP (0,400", larghezza di 10.16mm)
Organizzazione della memoria:
256K x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
NVSRAM (SRAM non volatile)
Numero del prodotto di base:
CY14B104
Formato di memoria:
NVSRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
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25ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
54-TSOP II
Tipo di memoria:
Non volatili
Mfr:
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Dimensione della memoria:
4Mbit
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Tempo di accesso:
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Organizzazione della memoria:
256K x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
NVSRAM (SRAM non volatile)
Numero del prodotto di base:
CY14B104
Formato di memoria:
NVSRAM
CY14B104NA-ZSP25XI
NVSRAM (non volatile SRAM) Memoria IC 4Mbit parallelo 25 ns 54-TSOP II

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

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