ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > AS4C32M16MSA-6BIN
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Descrizione: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
512Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Confezione del dispositivo del fornitore:
54-FBGA (8x8)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Alliance Memory, Inc.
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TJ)
Frequenza dell'orologio:
166 MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.7V ~ 1.95V
Tempo di accesso:
5,5 NS
Confezione / Cassa:
54-VFBGA
Organizzazione della memoria:
32M x 16
Tecnologia:
SDRAM - SDRAM mobile
Numero del prodotto di base:
AS4C32
Formato di memoria:
DRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
512Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Confezione del dispositivo del fornitore:
54-FBGA (8x8)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
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Temperatura di funzionamento:
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Frequenza dell'orologio:
166 MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.7V ~ 1.95V
Tempo di accesso:
5,5 NS
Confezione / Cassa:
54-VFBGA
Organizzazione della memoria:
32M x 16
Tecnologia:
SDRAM - SDRAM mobile
Numero del prodotto di base:
AS4C32
Formato di memoria:
DRAM
AS4C32M16MSA-6BIN
SDRAM - Memoria mobile SDRAM IC 512Mbit parallelo 166 MHz 5,5 ns 54-FBGA (8x8)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip di memoria IC,

Chip IC di memoria 64-FBGA

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