ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > CY7C1041GE30-10VXI
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Descrizione: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Tubo
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
10ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
44-SOJ
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Infineon Technologies
Dimensione della memoria:
4Mbit
Voltaggio - Fornitura:
2.2V ~ 3.6V
Tempo di accesso:
10 ns
Confezione / Cassa:
44-BSOJ (0,400", larghezza di 10.16mm)
Organizzazione della memoria:
256K x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Asincrono
Numero del prodotto di base:
CY7C1041
Formato di memoria:
SRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Tubo
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
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Confezione del dispositivo del fornitore:
44-SOJ
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
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Dimensione della memoria:
4Mbit
Voltaggio - Fornitura:
2.2V ~ 3.6V
Tempo di accesso:
10 ns
Confezione / Cassa:
44-BSOJ (0,400", larghezza di 10.16mm)
Organizzazione della memoria:
256K x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Asincrono
Numero del prodotto di base:
CY7C1041
Formato di memoria:
SRAM
CY7C1041GE30-10VXI
SRAM - Memoria asincrona IC 4Mbit parallela 10 ns 44-SOJ

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

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