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W632GG8NB-11 TR

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Descrizione: IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA

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Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
2Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
SSTL_15
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
Dati relativi al numero di unità di comando
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Elettronica di Winbond
Frequenza dell'orologio:
933 megahertz
Voltaggio - Fornitura:
1.425V ~ 1.575V
Tempo di accesso:
20 ns
Confezione / Cassa:
78-VFGA
Organizzazione della memoria:
256M x 8
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 95°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - DDR3
Numero del prodotto di base:
W632GG8
Formato di memoria:
DRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
2Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
SSTL_15
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
Dati relativi al numero di unità di comando
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Elettronica di Winbond
Frequenza dell'orologio:
933 megahertz
Voltaggio - Fornitura:
1.425V ~ 1.575V
Tempo di accesso:
20 ns
Confezione / Cassa:
78-VFGA
Organizzazione della memoria:
256M x 8
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 95°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - DDR3
Numero del prodotto di base:
W632GG8
Formato di memoria:
DRAM
W632GG8NB-11 TR
SDRAM - DDR3 Memoria IC 2Gbit SSTL_15 933 MHz 20 ns 78-VFBGA (8x10.5)
ps6ahq937s9zjstx