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IS46TR16640C-125JBLA1-TR

Dettagli del prodotto

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Descrizione: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA

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Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
1Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Automotive, AEC-Q100
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
96-TWBGA (9x13)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
ISSI, soluzione integrata inc del silicio
Frequenza dell'orologio:
800 MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.425V ~ 1.575V
Tempo di accesso:
20 ns
Confezione / Cassa:
96-TFBGA
Organizzazione della memoria:
64M x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 95°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - DDR3
Numero del prodotto di base:
IS46TR16640
Formato di memoria:
DRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
1Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Automotive, AEC-Q100
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
96-TWBGA (9x13)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
ISSI, soluzione integrata inc del silicio
Frequenza dell'orologio:
800 MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.425V ~ 1.575V
Tempo di accesso:
20 ns
Confezione / Cassa:
96-TFBGA
Organizzazione della memoria:
64M x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 95°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - DDR3
Numero del prodotto di base:
IS46TR16640
Formato di memoria:
DRAM
IS46TR16640C-125JBLA1-TR
SDRAM - IC di memoria DDR3 1Gbit parallelo 800 MHz 20 ns 96-TWBGA (9x13)
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