ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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Casa > prodotti > Chip IC di memoria > RMLV0816BGBG-4S2#AC0
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RMLV0816BGBG-4S2#AC0
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Descrizione: RMLV0816BGB - 8Mb LPSRA avanzato

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Descrizione di prodotto
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Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
45ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
48-TFBGA (7,5x8,5)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Elettronica di Rochester, LLC
Dimensione della memoria:
8Mbit
Voltaggio - Fornitura:
2.7V ~ 3.6V
Confezione / Cassa:
48-TFBGA
Organizzazione della memoria:
512K x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Asincrono
Tempo di accesso:
45 ns
Formato di memoria:
SRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
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-
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
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Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tipo di memoria:
Volatile
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Confezione / Cassa:
48-TFBGA
Organizzazione della memoria:
512K x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Asincrono
Tempo di accesso:
45 ns
Formato di memoria:
SRAM
RMLV0816BGBG-4S2#AC0
SRAM - Memoria asincrona IC 8Mbit parallelo 45 ns 48-TFBGA (7,5x8,5)

Tags:

PC28F128J3F75F Memoria Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip di memoria IC,

Chip IC di memoria 64-FBGA

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