ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED
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IS42S81600F-6TLI-TR

Dettagli del prodotto

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Descrizione: IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

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Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
128Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
54-TSOP II
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
ISSI, soluzione integrata inc del silicio
Frequenza dell'orologio:
166 MHz
Voltaggio - Fornitura:
3V ~ 3,6V
Tempo di accesso:
5,4 NS
Confezione / Cassa:
54-TSOP (0,400", larghezza di 10.16mm)
Organizzazione della memoria:
16M x 8
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM
Numero del prodotto di base:
IS42S81600
Formato di memoria:
DRAM
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
128Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
54-TSOP II
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
ISSI, soluzione integrata inc del silicio
Frequenza dell'orologio:
166 MHz
Voltaggio - Fornitura:
3V ~ 3,6V
Tempo di accesso:
5,4 NS
Confezione / Cassa:
54-TSOP (0,400", larghezza di 10.16mm)
Organizzazione della memoria:
16M x 8
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM
Numero del prodotto di base:
IS42S81600
Formato di memoria:
DRAM
IS42S81600F-6TLI-TR
La memoria IC 128Mbit di SDRAM parallelizza 166 megahertz 5,4 il NS 54-TSOP II
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